Chat with us, powered by LiveChat

Use the virtual keyboard to enter text

Закрыть клавиатуру
1
!
2
@
3
#
4
$
5
%
6
^
7
&
8
*
9
(
0
)
_
!
1
@
2
#
3
$
4
%
5
^
6
&
7
*
8
(
9
)
0
_
-
Q
й
W
ц
E
у
R
к
T
е
Y
н
U
г
I
ш
O
щ
P
з
[{
х
]}
ъ
A
ф
S
ы
D
в
F
а
G
п
H
р
J
о
K
л
L
д
:;
ж
'"
э
\
ё
Shift
Z
я
X
ч
C
с
V
м
B
и
N
т
M
ь
<,
б
>.
ю
/
?
+
=
Русский
English
CAPS
Space
Enter
Вход

ВНИМАНИЕ: В данный момент данного товара нет в наличии. Добавьте данный товар в отложенные, мы обязательно сообщим о поступлении. Также вы можете попробовать найти у нас аналогичный, по названию, товар с другими выходными данными.

Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения. Таперо К.И.

Radiatsionnye effekty v kremnievykh integralnykh skhemakh kosmicheskogo primeneniya. Tapero K.I.

Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения. Таперо К.И.

ID 827046

Для студентов и аспирантов

Dlya studentov i aspirantov

Expected


Чтобы добавить товар в отложенные необходимо авторизоваться.
(0)

Product details

Cover
Твердый переплет
EAN
9785996306336
ISBN
978-5-9963-0633-6
Publication date
2014
Page count
308
Circulation
1000
Format
60x90/16
Language

В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц. Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.

V monografii analiziruetsya vliyanie ioniziruyushchikh izlucheniy (II), preimushchestvenno kosmicheskogo prostranstva, na kharakteristiki izdeliy mikro- i nanoelektroniki. Rassmotreny: osnovy fiziki vzaimodeystviy II s poluprovodnikami; izmenenie elektrofizicheskikh parametrov pribornykh struktur v rezultate obrazovaniya nanorazmernykh defektov pod deystviem II; dozovye ionizatsionnye effekty v strukture Si/SiO2 i ikh vliyanie na kharakteristiki priborov i mikroskhem; osobennosti radiatsionnykh ispytaniy izdeliy, izgotovlennykh po MOP-, KMOP-, a takzhe po bipolyarnoy tekhnologii, na stoykost k vozdeystviyu nizkointensivnogo II; odinochnye sobytiya v izdeliyakh mikro- i nanoelektroniki pri vozdeystvii otdelnykh zaryazhennykh chastits. Dlya tekhnicheskikh spetsialistov, rabotayushchikh v oblasti elektroniki, a takzhe dlya studentov i aspirantov.

Coming soon...

Technical characteristics of the product may differ.
Check the information at checkout
the operator of the contact center.

Reviews

  • Comments
Loading comments...