В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц. Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.
V monografii analiziruetsya vliyanie ioniziruyushchikh izlucheniy (II), preimushchestvenno kosmicheskogo prostranstva, na kharakteristiki izdeliy mikro- i nanoelektroniki. Rassmotreny: osnovy fiziki vzaimodeystviy II s poluprovodnikami; izmenenie elektrofizicheskikh parametrov pribornykh struktur v rezultate obrazovaniya nanorazmernykh defektov pod deystviem II; dozovye ionizatsionnye effekty v strukture Si/SiO2 i ikh vliyanie na kharakteristiki priborov i mikroskhem; osobennosti radiatsionnykh ispytaniy izdeliy, izgotovlennykh po MOP-, KMOP-, a takzhe po bipolyarnoy tekhnologii, na stoykost k vozdeystviyu nizkointensivnogo II; odinochnye sobytiya v izdeliyakh mikro- i nanoelektroniki pri vozdeystvii otdelnykh zaryazhennykh chastits. Dlya tekhnicheskikh spetsialistov, rabotayushchikh v oblasti elektroniki, a takzhe dlya studentov i aspirantov.