Предлагаемое вниманию читателя учебное пособии состоит из двух частей. В пособии делается попытка систематического изложения основных свойств наноэлектронных структур. В первой части обсуждаются особенности энергетического спектра частиц в системах пониженной размерности, анализируется изменение плотности состояний и обсуждаются проблемы экранирования электрического поля в структурах пониженной размерности. Во второй части рассматриваются особенности фононного спектра в структурах пониженной размерности, приводятся теоретические и экспериментальные результаты исследований транспортных явлений в наноэлектронных структурах, рассматриваются вопросы построения приборов на основе наноэлектронных структур.
Predlagaemoe vnimaniyu chitatelya uchebnoe posobii sostoit iz dvukh chastey. V posobii delaetsya popytka sistematicheskogo izlozheniya osnovnykh svoystv nanoelektronnykh struktur. V pervoy chasti obsuzhdayutsya osobennosti energeticheskogo spektra chastits v sistemakh ponizhennoy razmernosti, analiziruetsya izmenenie plotnosti sostoyaniy i obsuzhdayutsya problemy ekranirovaniya elektricheskogo polya v strukturakh ponizhennoy razmernosti. Vo vtoroy chasti rassmatrivayutsya osobennosti fononnogo spektra v strukturakh ponizhennoy razmernosti, privodyatsya teoreticheskie i eksperimentalnye rezultaty issledovaniy transportnykh yavleniy v nanoelektronnykh strukturakh, rassmatrivayutsya voprosy postroeniya priborov na osnove nanoelektronnykh struktur.
We offer the reader the textbook consists of two parts. In the manual deleteproperty systematic exposition of the basic properties of nanoelectronic structures. The first part discusses the peculiarities of the energy spectrum of particles in low-dimensional systems, and analyzes the change in the density of States and the problems of shielding the electric field in structures with reduced dimensions. The second part deals with the peculiarities of the phonon spectrum in structures with reduced dimensions, provides theoretical and experimental results of investigation of transport phenomena in nanoelectronic structures, examines the construction of devices based on nanoelectronic structures.
